掺杂

1、选中一条紫色线段，在OneKey插件中使用“特殊选中”-“按线条纯色”选中所有紫色线段，将其移动到两列六边形中间。

2、DOI:1038/s41467-020-20867-w

3、d.   CsPbBr3和Sr掺杂CsPbI3QLED的EQE曲线(掺杂)。

4、e.    CsPbI3和FA掺杂CsPbI3的荧光衰减曲线

5、例如，在半导体硅中掺入磷或镓可以得n型或p型半导体材料，由此制出各式各样的半导体器件。在一些无机固体化合物中掺入不同的金属离子，可以得到不同性质的发光材料，如氧化钇(III)中掺入铕(III)离子可以得到发红光的荧光材料。

6、a.    CsPb(Cl/Br)CsPbBr3和CsPb(Br/I)3QLEDs的照片

7、d.   不同途径和前驱体的阴离子交换示意图

8、选中正六边形，再按住Ctrl选中所有圆形。

9、选中掺杂原子，使用ThreeD球体按钮，重新将其转变为标准球体

10、c.    CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3的薄膜照片

11、KazunariYoshizawa日本九州大学

12、DOI:1021/acscatal.0c05468

13、出处：出自我国南北朝时北齐文学家颜之推的的传世代表作《颜氏家训·文章》，“潘岳赋曰：“是则混杂其雄雌矣。”

14、https://doi.org/1038/s41467-020-20867-w

15、Theeffectofindiumdopingonthehydrogenevolutionperformanceofg-C3N4basedphotocatalystsXiaohangYang,ZilongGuo,XiaoyuZhang,YandongHan,ZhengXue,TengfengXieandWenshengYang*(杨文胜，吉林大学)NewJ.Chem.,2021,45,544-550http://doi.org/1039/D0NJ04854B

16、掺杂之后的半导体能带会有所改变。依照掺杂物的不同，本征半导体的能隙之间会出现不同的能阶。施体原子会在靠近导带的地方产生一个新的能阶，而受体原子则是在靠近价带的地方产生新的能阶。假设掺杂硼原子进入硅，则因为硼的能阶到硅的价带之间仅有0.045电子伏特，远小于硅本身的能隙12电子伏特，所以在室温下就可以使掺杂到硅里的硼原子完全解离化。

17、e.    Mn掺杂的CsPbCl3的发光光谱

18、例句：七色中混杂着好多不同的颜色，可真漂亮。犹如一条仙女的丝带，在阳光中飘来飘去，忽明忽暗，有红、桔红、橙、桔黄、金黄、黄绿、青、青绿、浅绿……五彩缤纷，还有些我怎么也叫不出名字的“怪色”。这么多颜色令人感到无比欣喜。

19、组合所有对象，再ThreeD中点击“俯仰”按钮切换为俯视图，得到三维石墨烯片。

20、NH3-SCR(选择性催化还原)是脱除NOx的重要工艺。然而，废气中的水蒸气在低温范围内严重抑制了该反应。

21、(中国科学院理化技术研究所戴闻编译自MichaelM.Scherer.Physics，October2020)

22、c.    A位或X位离子钝化钙钛矿表面缺陷的示意图

23、相关研究结果发表在《美国化学会-中心科学》(ACSCent.Sci.)上。上述工作得到国家自然科学基金重点项目等资助。

24、掺杂：指多种物质混杂在一起，在化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他元素或化合物。掺杂可以使材料、基质产生特定的电学、磁学和光学等性能，从而使其具有特定的价值或用途。

25、DebbieCrans美国科罗拉多州立大学

26、DaltonTrans.,2019,48,5083–50

27、不同于传统半导体中的n型或p型掺杂，钙钛矿量子点中的掺杂通常为杂质离子在原有结构中的替换，得益于钙钛矿离子晶体的特性，掺杂在钙钛矿中要相对容易。LHP的晶体结构为ABX3(A位为一价的有机分子或者金属离子，如FA+，MA+，Cs+等；B位为二价金属离子如Pb2+，Sn2+，Mn2+等；X位为卤素离子)。不同位点的掺杂对钙钛矿晶体结构和电子能带结构的影响也会不同，例如A位离子的大小会影响晶体结构的稳定性；而B位和X位的离子主要参与钙钛矿的能带结构组成，所以B位和X位的掺杂会大大影响钙钛矿量子点的光学和电学性能。因此，在特定位置引入特定元素或基团为提高钙钛矿晶体结构的稳定性、优化发光性能、改善非辐射复合、调控激子动力学等提供了有效的解决途径。

28、选中掺杂原子，再按住Ctrl键选中其周围的原子。

29、SumanL.JainCSIR印度石油学院

30、d.   单电子、单空穴的电流密度-电压曲线

31、要点 湿条件下，钨取代的氧化钒的酸性位点转化为Brønsted酸位点，而不含钨的氧化钒的粒子数没有明显变化。OperandoUV-Vis测试结果显示，5mol%钨取代的钒氧化物即使在有水的情况下也表现出很强的氧化还原能力，还原半周期内N2的生成几乎不受加水的影响。5W-V催化剂在水存在下具有较高的氧化还原性能和低温下的Brønsted酸位点反应活性。

32、将下方线段、以及下方的两个圆分别设置为紫色和红色。

33、f.     Eu掺杂后的CsPbCl3的能带结构示意图

34、e.    不同卤素比例掺杂的CsPbX3光学带隙分布图

35、图g-C3N4基半导体光催化氧化还原反应机理示意图。

36、g.   不同稀土元素掺杂的CsPbCl3的光谱

37、在ThreeD插件中，点击“智能连线”，在弹出的窗口中，将宽度改为与化学键线条宽度相等

38、Angew.Chem.Int.Ed.,2015,54,12868–128

39、近日，日本东京都立大学ToruMurayama报道了研究了钨取代氧化钒的低温NH3-SCR催化活性及其在干、湿条件下的反应机理。

40、f.     CsPbBr3和Ce掺杂CsPbBr3的激发过程和激发机制示意图

41、JaïrtonDupont巴西南大河州联邦大学

42、b.   FA掺杂对CsPbBr3薄膜的光谱影响

43、选中组合，在iSlide插件选项卡左侧找到“设计排版”，在下拉菜单中点击“矩阵布局”，设置需要的行数和列数，调整横向间距，调整纵向间距到恰当值。

44、Inomata,Y.,Kubota,H.,Hata,S.etal.Bulktungsten-substitutedvanadiumoxideforlow-temperatureNOxremovalinthepresenceofwater.NatCommun12,557(2021).

45、Adv.Mater.,2009,21,1609–16

46、NG中的掺杂氮原子通常以吡啶氮、吡啶氮氧化物、吡咯氮、石墨氮等多种形式共存，并且掺杂氮原子在石墨烯的面内排列无序，这也使得载流子在输运过程中遭遇更强的散射，导致载流子迁移率大大降低。

47、Jean-FrançoisGérard法国里昂大学里昂国立应用科学学院

48、外掺杂杂质不是来源于衬底，由人为控制的掺杂方式。　　

49、a.    不同A位掺杂离子对CsPbX3光学带隙的影响规律

50、综上所述，本文总结了掺杂离子(包括A位，B位和X位)对晶体结构、带隙、PL、载流子动力学和基于LHP纳米晶LED器件性能的影响。A为掺杂可能对晶体结构产生更大的影响，特别是对于基于I的钙钛矿，较大的A位阳离子可以帮助其获得更稳定的晶相。B位金属掺杂剂与钙钛矿主体具有复杂的相互关系，主要体现在电子结构和能带上。由于Pb在LHP中处于重要的晶体结构位置，极大影响了电子结构状态，少量的B位掺杂剂可以极大地改变钙钛矿QD的光学和电学性质。X位阴离子主要是由于它们对价带的贡献从而可以调控带隙和光谱。同时，卤素的损失是钙钛矿QDs表面缺陷的重要来源。由此可见，适当的掺杂将有助于稳定相结构，提高发光效率，减少非辐射跃迁并进一步增强QLEDs器件的性能。

51、同样方式即可制作其他掺杂点，最后添加透视、三维旋转后，点击ThreeD图层重排即可。

52、单独的g-C3N4虽然有诸多优点，但其低的介电性质及高的电阻率，决定其高的激子结合能和高的载流子迁移阻力，导致单独g-C3N4光催化剂的光生电荷分离效率低，迁移能力差，限制其光催化活性提高。研究者们发展了多种提高g-C3N4基光催化剂性能的方法，如纳米结构的设计、缺陷工程、杂质元素掺杂、分子掺杂和异质结的构建等。单独卟啉能够吸收光谱中≤411nm范围的可见光，它的Mg2+和Fe3+复合物叶绿素a和血红素分别在680nm和532nm有新的吸收；还有含金属离子如Fe、Ni、Cu、Zn离子的酞菁，金属配位能够改变调节它的光谱性质(图2)。3受自然界金属复合物的启发，富氮П共轭大环有机分子可以为金属掺杂提供配位位点，g-C3N4平面内组成单元七嗪环间的孔结构，周围分布的具有孤对电子的6个N原子可作为路易斯碱位点可作为掺杂金属配位位点，因此金属掺杂常被用来扩展g-C3N4基光催化剂可见光吸收光谱范围，提高光生电荷载流子的分离和迁移效率。

53、化学是自然科学的一种，在分子、原子层次上研究物质的组成、性质、结构与变化规律；创造新物质的科学。

54、d.   Bi掺杂的CsPbBr3的发光光谱

55、把假的掺在真的里面或把质量差的掺在质量好的里面。

56、b.   FAPbI3掺入MA后的晶格松弛

57、在英豪插件选项卡中找到“位置分布”，在下拉菜单中点击“沿线均匀分布保持原角度”。

58、VanHove点具有大量的态，这为电荷载流子提供了充分的相互作用、协同，以及形成集体物质态的机会，如磁性和超导电性。这种集体态不能用单粒子图像来描述。令人兴奋的是，理论预测的掺杂石墨烯包括的奇异态，如高温手征拓扑超导，现在可以用Rosenzweig演示的可控掺杂技术来探索。

59、选中需要修改的原子，更改其颜色、尺寸和位置。删除其周围的化学键。

60、石墨烯的电子能带结构展现出所谓的VanHove奇点，即态密度发散的点。这种发散发生在多个VanHove点(黄色点)，它们的能量高于众所周知的狄拉克点(红色点)。当石墨烯被掺杂时，费米能级(绿线)向上移动，到达VanHove奇点或更高的位置，导致增强的多体效应，从而产生集体态，诸如超导电性和磁性的非常规形式

61、PeterJunk澳大利亚詹姆斯·库克大学

62、出处：沈从文《从文自传·我读一本小书同时又读一本大书》：“我幼小时较美丽的生活，大部分都与水不能分离。”

63、https://doi.org/1021/acscatal.0c05468

64、c.    钙钛矿三色光的CIE坐标和标准NTSC的对比

65、含义不同：复合材料其它的材料作为增强相，基体通常是连续的，增强相可以使颗粒、纤维、层板。可以认为增强相是镶嵌在基体里的。掺杂：通常用于化工、材料等领域中，掺杂通常是指为了改善某种材料或物质的性能，有目的在这种材料或基质中，掺入少量其他元素或化合物。

66、CO2甲烷化是CO2回收利用、可再生氢气储存和运输以及实施沼气发电技术的一种重要而有前途的工艺。

67、此外，扩展的VanHove奇点可能导致比预期更高的态密度，这可能使超导态具有更高的转变温度。什么样的超导电性可能存在于VanHove掺杂的石墨烯宿主？答案可能是手征拓扑超导。这对于未来的技术应用，例如量子计算，前景广阔。

68、在英豪插件(lvyhtools)选项卡中找到“编辑形状”，在下拉菜单中点击“添加正多边形”，输入点击确定生成正六边形。

69、掺杂物对于能带结构的另一个重大影响是改变了费米能阶的位置。在热平衡的状态下费米能阶依然会保持定值，这个特性会引出很多其他有用的电特性。举例来说，一个p-n结的能带会弯折，起因是原本p型半导体和n型半导体的费米能阶位置各不相同，但是形成p-n结后其费米能阶必须保持在同样的高度，造成无论是p型或是n型半导体的导带或价带都会被弯曲以配合界面处的能带差异。

70、要点 原位傅里叶变换红外光谱和程序升温表面反应结果表明，Ru/Ce0.9Cr0.1Ox和Ru/CeO2催化剂上的CO2甲烷化反应均遵循甲酸盐和CO*途径，低温下以前者为主。CO2与表面羟基相互作用生成吸附的碳酸氢盐，然后碳酸氢盐进一步转化为甲酸盐，最后生成CH4*。Cr3+掺杂增加了表面氧空位和羟基的数量，从而增加了碳酸氢盐和甲酸盐的数量。因此，Cr掺杂强烈促进了甲酸盐途径，大大提高了Ru/Ce0.9Cr0.1Ox催化剂的低温低温CO2甲烷化催化活性。

71、石墨烯是研究VanHove超导电性的一种很有前途的候选材料。它的六方对称性，在磁性和超导电性之间的平衡中，绝对地有利于后者(即超导)。在原始单层石墨烯中，费米能级(在零温下表征最高填充电子能级)，与VanHove点相对较远(几个电子伏特)。然而，VanHove点可以通过化学掺杂而达到，例如通过插层。通过在石墨烯单层和衬底之间插入某种类型的原子，使电荷载流子从插层原子转移到石墨烯。根据插层原子的选择，转移电荷的数量是不同的。这种化学掺杂技术可以使石墨烯中的费米能级接近VanHove点。

72、Adv.Mater.,2016,28,6959–69

73、f.     不同Bi掺杂浓度对CsPbBr3的光学带隙的影响示意图

74、NanoRes.,2018,11,2295–230

75、a.    CsPbBr3和Mn掺杂CsPbBr3QLED的EQE-亮度曲线

76、g.   CsPbBr3和Ce掺杂CsPbBr3的瞬态光谱

77、纯正的半导体是靠本征激发来产生载流子导电的，但是仅仅依靠本证激发的话产生的载流子数量很少，而且容易受到外间因素如温度等的影响。掺入相应的三价或是五价元素则可以在本征激发外产生其他的载流子。

78、图不同In3+掺杂量的In-g-C3N4光催化剂的(a)产氢催化速率曲线，(b)固体-紫外漫反射吸收光谱，(c)稳态表面光电压谱；(d)随In3+掺杂量In-g-C3N4光催化剂光电压最大响应值与可见光催化产氢速率趋势变化对比；(e)不同In3+掺杂量的In-g-C3N4光催化剂的周期光电流响应和(f)光电流密度变化与光催化产氢速率趋势变化对比。

79、ACSCatal.,2016,6,2462−24

80、在石墨烯等二维材料中，它们能带的特征是电子态密度存在发散的点——称为VanHove奇点。如此多的状态集合，增强了多体相互作用的影响，并支撑物质集体态的形成。但是，具体是哪一种集体态是不确定的，因为在VanHove奇点，磁性和超导电性(以及其他有序相)之间存在着微妙的竞争，而“赢家”取决于能带的精细形状。这种类型的竞争，可能有助于解释高温超导体和魔角双层石墨烯中观察到的超导电性。在非常规超导体的VanHove场景中，人们认为电子之间的排斥相互作用会引起涨落——例如导致自旋波——这反过来又会引起吸引相互作用。这些吸引成分可以促进库珀对的形成，从而促进产生超导电性。测试这种情况，是将石墨烯掺杂到高水平的主要动机之一。

81、b.   不同FA浓度掺杂的CsPbBr3的光学吸收和发光光谱

82、b.   CsPbBr3和FA掺杂CsPbBr3QLED的EQE曲线

83、锰掺杂对钠基非铅双钙钛矿纳米晶发射光谱的影响

84、要点 实验结果显示，5W-V催化剂具有最高的NO转化率，干催化剂超过99%，湿催化剂达到93%(湿，10vol%的水)。当钒氧化物中添加超过5mol%的钨时，NO转化率降低。得益于大量的WO6单元连接了氧化钒层，添加钨显著提高了催化剂的稳定性。

85、a.    α相和δ相的FAPbI3晶体结构和晶面间距

86、MaartenRoeffaers比利时鲁汶天主教大学